IXTA1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
Varenummer
IXTA1R4N120P
Producent/Mærke
Serie
Polar™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
TO-263 (IXTA)
Effekttab (maks.)
86W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24.8nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
666pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 19325 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTA1R4N120P
IXTA1R4N120P Elektroniske komponenter
IXTA1R4N120P Salg
IXTA1R4N120P Leverandør
IXTA1R4N120P Distributør
IXTA1R4N120P Datatabel
IXTA1R4N120P Fotos
IXTA1R4N120P Pris
IXTA1R4N120P Tilbud
IXTA1R4N120P Laveste pris
IXTA1R4N120P Søg
IXTA1R4N120P Indkøb
IXTA1R4N120P Chip