IXTA3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
Varenummer
IXTA3N100P
Producent/Mærke
Serie
PolarVHV™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandørenhedspakke
TO-263 (IXTA)
Effekttab (maks.)
125W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 42703 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTA3N100P
IXTA3N100P Elektroniske komponenter
IXTA3N100P Salg
IXTA3N100P Leverandør
IXTA3N100P Distributør
IXTA3N100P Datatabel
IXTA3N100P Fotos
IXTA3N100P Pris
IXTA3N100P Tilbud
IXTA3N100P Laveste pris
IXTA3N100P Søg
IXTA3N100P Indkøb
IXTA3N100P Chip