IXTF6N200P3
MOSFET N-CH
Varenummer
IXTF6N200P3
Producent/Mærke
Serie
Polar™
Del status
Active
Emballage
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Leverandørenhedspakke
ISOPLUS i4-PAC™
Effekttab (maks.)
215W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
2000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 9127 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTF6N200P3
IXTF6N200P3 Elektroniske komponenter
IXTF6N200P3 Salg
IXTF6N200P3 Leverandør
IXTF6N200P3 Distributør
IXTF6N200P3 Datatabel
IXTF6N200P3 Fotos
IXTF6N200P3 Pris
IXTF6N200P3 Tilbud
IXTF6N200P3 Laveste pris
IXTF6N200P3 Søg
IXTF6N200P3 Indkøb
IXTF6N200P3 Chip