IXTH10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
Varenummer
IXTH10N100D
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247 (IXTH)
Effekttab (maks.)
400W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
Depletion Mode
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 13039 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTH10N100D
IXTH10N100D Elektroniske komponenter
IXTH10N100D Salg
IXTH10N100D Leverandør
IXTH10N100D Distributør
IXTH10N100D Datatabel
IXTH10N100D Fotos
IXTH10N100D Pris
IXTH10N100D Tilbud
IXTH10N100D Laveste pris
IXTH10N100D Søg
IXTH10N100D Indkøb
IXTH10N100D Chip