IXTH12N100
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Varenummer
IXTH12N100
Producent/Mærke
Serie
MegaMOS™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247 (IXTH)
Effekttab (maks.)
300W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4000pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 43653 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTH12N100
IXTH12N100 Elektroniske komponenter
IXTH12N100 Salg
IXTH12N100 Leverandør
IXTH12N100 Distributør
IXTH12N100 Datatabel
IXTH12N100 Fotos
IXTH12N100 Pris
IXTH12N100 Tilbud
IXTH12N100 Laveste pris
IXTH12N100 Søg
IXTH12N100 Indkøb
IXTH12N100 Chip