IXTH1N170DHV
MOSFET N-CH
Varenummer
IXTH1N170DHV
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3 Variant
Leverandørenhedspakke
TO-247HV
Effekttab (maks.)
290W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
Depletion Mode
Dræn til kildespænding (Vdss)
1700V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3090pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 38002 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV Elektroniske komponenter
IXTH1N170DHV Salg
IXTH1N170DHV Leverandør
IXTH1N170DHV Distributør
IXTH1N170DHV Datatabel
IXTH1N170DHV Fotos
IXTH1N170DHV Pris
IXTH1N170DHV Tilbud
IXTH1N170DHV Laveste pris
IXTH1N170DHV Søg
IXTH1N170DHV Indkøb
IXTH1N170DHV Chip