IXTH1N200P3
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
Varenummer
IXTH1N200P3
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247 (IXTH)
Effekttab (maks.)
125W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
2000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23.5nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
646pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 25200 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTH1N200P3
IXTH1N200P3 Elektroniske komponenter
IXTH1N200P3 Salg
IXTH1N200P3 Leverandør
IXTH1N200P3 Distributør
IXTH1N200P3 Datatabel
IXTH1N200P3 Fotos
IXTH1N200P3 Pris
IXTH1N200P3 Tilbud
IXTH1N200P3 Laveste pris
IXTH1N200P3 Søg
IXTH1N200P3 Indkøb
IXTH1N200P3 Chip