IXTH3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
Varenummer
IXTH3N120
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247 (IXTH)
Effekttab (maks.)
200W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 28586 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTH3N120
IXTH3N120 Elektroniske komponenter
IXTH3N120 Salg
IXTH3N120 Leverandør
IXTH3N120 Distributør
IXTH3N120 Datatabel
IXTH3N120 Fotos
IXTH3N120 Pris
IXTH3N120 Tilbud
IXTH3N120 Laveste pris
IXTH3N120 Søg
IXTH3N120 Indkøb
IXTH3N120 Chip