IXTN200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
Varenummer
IXTN200N10T
Producent/Mærke
Serie
TrenchMV™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Chassis Mount
Pakke/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Leverandørenhedspakke
SOT-227B
Effekttab (maks.)
550W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til chen_hx1688@hotmail.com, vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 25396 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTN200N10T
IXTN200N10T Elektroniske komponenter
IXTN200N10T Salg
IXTN200N10T Leverandør
IXTN200N10T Distributør
IXTN200N10T Datatabel
IXTN200N10T Fotos
IXTN200N10T Pris
IXTN200N10T Tilbud
IXTN200N10T Laveste pris
IXTN200N10T Søg
IXTN200N10T Indkøb
IXTN200N10T Chip