IXTP1N100P
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
Varenummer
IXTP1N100P
Producent/Mærke
Serie
Polar™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
50W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
331pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 6378 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTP1N100P
IXTP1N100P Elektroniske komponenter
IXTP1N100P Salg
IXTP1N100P Leverandør
IXTP1N100P Distributør
IXTP1N100P Datatabel
IXTP1N100P Fotos
IXTP1N100P Pris
IXTP1N100P Tilbud
IXTP1N100P Laveste pris
IXTP1N100P Søg
IXTP1N100P Indkøb
IXTP1N100P Chip