IXTP1N120P
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
Varenummer
IXTP1N120P
Producent/Mærke
Serie
PolarVHV™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
63W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.6nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 28625 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTP1N120P
IXTP1N120P Elektroniske komponenter
IXTP1N120P Salg
IXTP1N120P Leverandør
IXTP1N120P Distributør
IXTP1N120P Datatabel
IXTP1N120P Fotos
IXTP1N120P Pris
IXTP1N120P Tilbud
IXTP1N120P Laveste pris
IXTP1N120P Søg
IXTP1N120P Indkøb
IXTP1N120P Chip