IXTP1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Varenummer
IXTP1R6N100D2
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
100W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
Depletion Mode
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 16707 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2 Elektroniske komponenter
IXTP1R6N100D2 Salg
IXTP1R6N100D2 Leverandør
IXTP1R6N100D2 Distributør
IXTP1R6N100D2 Datatabel
IXTP1R6N100D2 Fotos
IXTP1R6N100D2 Pris
IXTP1R6N100D2 Tilbud
IXTP1R6N100D2 Laveste pris
IXTP1R6N100D2 Søg
IXTP1R6N100D2 Indkøb
IXTP1R6N100D2 Chip