IXTP2R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220
Varenummer
IXTP2R4N120P
Producent/Mærke
Serie
Polar™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
125W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1207pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 7752 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P Elektroniske komponenter
IXTP2R4N120P Salg
IXTP2R4N120P Leverandør
IXTP2R4N120P Distributør
IXTP2R4N120P Datatabel
IXTP2R4N120P Fotos
IXTP2R4N120P Pris
IXTP2R4N120P Tilbud
IXTP2R4N120P Laveste pris
IXTP2R4N120P Søg
IXTP2R4N120P Indkøb
IXTP2R4N120P Chip