IXTP3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220
Varenummer
IXTP3N100P
Producent/Mærke
Serie
PolarVHV™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
125W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 26589 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTP3N100P
IXTP3N100P Elektroniske komponenter
IXTP3N100P Salg
IXTP3N100P Leverandør
IXTP3N100P Distributør
IXTP3N100P Datatabel
IXTP3N100P Fotos
IXTP3N100P Pris
IXTP3N100P Tilbud
IXTP3N100P Laveste pris
IXTP3N100P Søg
IXTP3N100P Indkøb
IXTP3N100P Chip