IXTP8N65X2M
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
Varenummer
IXTP8N65X2M
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220
Effekttab (maks.)
32W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
650V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 38706 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTP8N65X2M
IXTP8N65X2M Elektroniske komponenter
IXTP8N65X2M Salg
IXTP8N65X2M Leverandør
IXTP8N65X2M Distributør
IXTP8N65X2M Datatabel
IXTP8N65X2M Fotos
IXTP8N65X2M Pris
IXTP8N65X2M Tilbud
IXTP8N65X2M Laveste pris
IXTP8N65X2M Søg
IXTP8N65X2M Indkøb
IXTP8N65X2M Chip