IXYS
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IXTQ14N60P
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IXTQ14N60P

MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P
Varenummer
IXTQ14N60P
Producent/Mærke
IXYS
Serie
PolarHV™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-3P-3, SC-65-3
Leverandørenhedspakke
TO-3P
Effekttab (maks.)
300W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
600V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
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