Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
IXTQ200N10T

IXTQ200N10T

MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
Varenummer
IXTQ200N10T
Producent/Mærke
Serie
TrenchMV™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-3P-3, SC-65-3
Leverandørenhedspakke
TO-3P
Effekttab (maks.)
550W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 21871 PCS
Kontakt information
Nøgleord afIXTQ200N10T
IXTQ200N10T Elektroniske komponenter
IXTQ200N10T Salg
IXTQ200N10T Leverandør
IXTQ200N10T Distributør
IXTQ200N10T Datatabel
IXTQ200N10T Fotos
IXTQ200N10T Pris
IXTQ200N10T Tilbud
IXTQ200N10T Laveste pris
IXTQ200N10T Søg
IXTQ200N10T Indkøb
IXTQ200N10T Chip