IXTY1R4N60P
MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
Varenummer
IXTY1R4N60P
Producent/Mærke
Serie
PolarHV™
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
TO-252, (D-Pak)
Effekttab (maks.)
50W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
600V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 54580 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXTY1R4N60P
IXTY1R4N60P Elektroniske komponenter
IXTY1R4N60P Salg
IXTY1R4N60P Leverandør
IXTY1R4N60P Distributør
IXTY1R4N60P Datatabel
IXTY1R4N60P Fotos
IXTY1R4N60P Pris
IXTY1R4N60P Tilbud
IXTY1R4N60P Laveste pris
IXTY1R4N60P Søg
IXTY1R4N60P Indkøb
IXTY1R4N60P Chip