IXFH6N100F
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Varenummer
IXFH6N100F
Producent/Mærke
Serie
HiPerRF™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247 (IXFH)
Effekttab (maks.)
180W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1770pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 46119 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIXFH6N100F
IXFH6N100F Elektroniske komponenter
IXFH6N100F Salg
IXFH6N100F Leverandør
IXFH6N100F Distributør
IXFH6N100F Datatabel
IXFH6N100F Fotos
IXFH6N100F Pris
IXFH6N100F Tilbud
IXFH6N100F Laveste pris
IXFH6N100F Søg
IXFH6N100F Indkøb
IXFH6N100F Chip