APT80SM120B
POWER MOSFET - SIC
Varenummer
APT80SM120B
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Obsolete
Emballage
Bulk
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-247-3
Leverandørenhedspakke
TO-247
Effekttab (maks.)
555W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1200V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 20V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 43636 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afAPT80SM120B
APT80SM120B Elektroniske komponenter
APT80SM120B Salg
APT80SM120B Leverandør
APT80SM120B Distributør
APT80SM120B Datatabel
APT80SM120B Fotos
APT80SM120B Pris
APT80SM120B Tilbud
APT80SM120B Laveste pris
APT80SM120B Søg
APT80SM120B Indkøb
APT80SM120B Chip