PSMN8R5-108ESQ
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
Varenummer
PSMN8R5-108ESQ
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Obsolete
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverandørenhedspakke
I2PAK
Effekttab (maks.)
263W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
108V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
111nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5512pF @ 50V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 48379 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afPSMN8R5-108ESQ
PSMN8R5-108ESQ Elektroniske komponenter
PSMN8R5-108ESQ Salg
PSMN8R5-108ESQ Leverandør
PSMN8R5-108ESQ Distributør
PSMN8R5-108ESQ Datatabel
PSMN8R5-108ESQ Fotos
PSMN8R5-108ESQ Pris
PSMN8R5-108ESQ Tilbud
PSMN8R5-108ESQ Laveste pris
PSMN8R5-108ESQ Søg
PSMN8R5-108ESQ Indkøb
PSMN8R5-108ESQ Chip