NSVMUN5212DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Varenummer
NSVMUN5212DW1T1G
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Effekt - Maks
250mW
Leverandørenhedspakke
SC-88/SC70-6/SOT-363
Transistor type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuel - samler (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - kollektoremitter-nedbrud (maks.)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Nuværende - Collector Cutoff (maks.)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Frekvens - Overgang
-
Modstand - base (R1)
22 kOhms
Modstand - Emitter Base (R2)
22 kOhms
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 7779 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afNSVMUN5212DW1T1G
NSVMUN5212DW1T1G Elektroniske komponenter
NSVMUN5212DW1T1G Salg
NSVMUN5212DW1T1G Leverandør
NSVMUN5212DW1T1G Distributør
NSVMUN5212DW1T1G Datatabel
NSVMUN5212DW1T1G Fotos
NSVMUN5212DW1T1G Pris
NSVMUN5212DW1T1G Tilbud
NSVMUN5212DW1T1G Laveste pris
NSVMUN5212DW1T1G Søg
NSVMUN5212DW1T1G Indkøb
NSVMUN5212DW1T1G Chip