NVD4809NHT4G
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Varenummer
NVD4809NHT4G
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverandørenhedspakke
DPAK
Effekttab (maks.)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 11.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2155pF @ 12V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 11.5V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 31810 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afNVD4809NHT4G
NVD4809NHT4G Elektroniske komponenter
NVD4809NHT4G Salg
NVD4809NHT4G Leverandør
NVD4809NHT4G Distributør
NVD4809NHT4G Datatabel
NVD4809NHT4G Fotos
NVD4809NHT4G Pris
NVD4809NHT4G Tilbud
NVD4809NHT4G Laveste pris
NVD4809NHT4G Søg
NVD4809NHT4G Indkøb
NVD4809NHT4G Chip