Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
UNR411E00A

UNR411E00A

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Varenummer
UNR411E00A
Serie
-
Del status
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
NS-B1
Effekt - Maks
300mW
Leverandørenhedspakke
NS-B1
Transistor type
PNP - Pre-Biased
Aktuel - samler (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - kollektoremitter-nedbrud (maks.)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Nuværende - Collector Cutoff (maks.)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Frekvens - Overgang
80MHz
Modstand - base (R1)
47 kOhms
Modstand - Emitter Base (R2)
22 kOhms
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 8135 PCS
Kontakt information
Nøgleord afUNR411E00A
UNR411E00A Elektroniske komponenter
UNR411E00A Salg
UNR411E00A Leverandør
UNR411E00A Distributør
UNR411E00A Datatabel
UNR411E00A Fotos
UNR411E00A Pris
UNR411E00A Tilbud
UNR411E00A Laveste pris
UNR411E00A Søg
UNR411E00A Indkøb
UNR411E00A Chip