RQ3E120BNTB
MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
Varenummer
RQ3E120BNTB
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-PowerVDFN
Leverandørenhedspakke
8-HSMT (3.2x3)
Effekttab (maks.)
2W (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 15V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 13377 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afRQ3E120BNTB
RQ3E120BNTB Elektroniske komponenter
RQ3E120BNTB Salg
RQ3E120BNTB Leverandør
RQ3E120BNTB Distributør
RQ3E120BNTB Datatabel
RQ3E120BNTB Fotos
RQ3E120BNTB Pris
RQ3E120BNTB Tilbud
RQ3E120BNTB Laveste pris
RQ3E120BNTB Søg
RQ3E120BNTB Indkøb
RQ3E120BNTB Chip