IRFB9N65APBF
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Varenummer
IRFB9N65APBF
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-3
Leverandørenhedspakke
TO-220AB
Effekttab (maks.)
167W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
650V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
930 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1417pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 22681 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIRFB9N65APBF
IRFB9N65APBF Elektroniske komponenter
IRFB9N65APBF Salg
IRFB9N65APBF Leverandør
IRFB9N65APBF Distributør
IRFB9N65APBF Datatabel
IRFB9N65APBF Fotos
IRFB9N65APBF Pris
IRFB9N65APBF Tilbud
IRFB9N65APBF Laveste pris
IRFB9N65APBF Søg
IRFB9N65APBF Indkøb
IRFB9N65APBF Chip