IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Varenummer
IRLD120PBF
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverandørenhedspakke
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Effekttab (maks.)
1.3W (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Vgs (maks.)
±10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 34633 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afIRLD120PBF
IRLD120PBF Elektroniske komponenter
IRLD120PBF Salg
IRLD120PBF Leverandør
IRLD120PBF Distributør
IRLD120PBF Datatabel
IRLD120PBF Fotos
IRLD120PBF Pris
IRLD120PBF Tilbud
IRLD120PBF Laveste pris
IRLD120PBF Søg
IRLD120PBF Indkøb
IRLD120PBF Chip