SI1013X-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Varenummer
SI1013X-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
SC-89, SOT-490
Leverandørenhedspakke
SC-89-3
Effekttab (maks.)
250mW (Ta)
FET type
P-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±6V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 23279 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI1013X-T1-E3
SI1013X-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI1013X-T1-E3 Salg
SI1013X-T1-E3 Leverandør
SI1013X-T1-E3 Distributør
SI1013X-T1-E3 Datatabel
SI1013X-T1-E3 Fotos
SI1013X-T1-E3 Pris
SI1013X-T1-E3 Tilbud
SI1013X-T1-E3 Laveste pris
SI1013X-T1-E3 Søg
SI1013X-T1-E3 Indkøb
SI1013X-T1-E3 Chip