SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC-89
Varenummer
SI1062X-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
SC-89, SOT-490
Leverandørenhedspakke
SC-89-3
Effekttab (maks.)
220mW (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 8V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
43pF @ 10V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 38610 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI1062X-T1-GE3
SI1062X-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI1062X-T1-GE3 Salg
SI1062X-T1-GE3 Leverandør
SI1062X-T1-GE3 Distributør
SI1062X-T1-GE3 Datatabel
SI1062X-T1-GE3 Fotos
SI1062X-T1-GE3 Pris
SI1062X-T1-GE3 Tilbud
SI1062X-T1-GE3 Laveste pris
SI1062X-T1-GE3 Søg
SI1062X-T1-GE3 Indkøb
SI1062X-T1-GE3 Chip