SI1427EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
Varenummer
SI1427EDH-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverandørenhedspakke
SC-70-6 (SOT-363)
Effekttab (maks.)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
FET type
P-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 8V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 45298 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI1427EDH-T1-GE3 Salg
SI1427EDH-T1-GE3 Leverandør
SI1427EDH-T1-GE3 Distributør
SI1427EDH-T1-GE3 Datatabel
SI1427EDH-T1-GE3 Fotos
SI1427EDH-T1-GE3 Pris
SI1427EDH-T1-GE3 Tilbud
SI1427EDH-T1-GE3 Laveste pris
SI1427EDH-T1-GE3 Søg
SI1427EDH-T1-GE3 Indkøb
SI1427EDH-T1-GE3 Chip