SI1912EDH-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
Varenummer
SI1912EDH-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Effekt - Maks
570mW
Leverandørenhedspakke
SC-70-6 (SOT-363)
FET type
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1.13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 100µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 13759 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI1912EDH-T1-E3
SI1912EDH-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI1912EDH-T1-E3 Salg
SI1912EDH-T1-E3 Leverandør
SI1912EDH-T1-E3 Distributør
SI1912EDH-T1-E3 Datatabel
SI1912EDH-T1-E3 Fotos
SI1912EDH-T1-E3 Pris
SI1912EDH-T1-E3 Tilbud
SI1912EDH-T1-E3 Laveste pris
SI1912EDH-T1-E3 Søg
SI1912EDH-T1-E3 Indkøb
SI1912EDH-T1-E3 Chip