SI1926DL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
Varenummer
SI1926DL-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Effekt - Maks
510mW
Leverandørenhedspakke
SC-70-6 (SOT-363)
FET type
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
18.5pF @ 30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 54377 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI1926DL-T1-GE3
SI1926DL-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI1926DL-T1-GE3 Salg
SI1926DL-T1-GE3 Leverandør
SI1926DL-T1-GE3 Distributør
SI1926DL-T1-GE3 Datatabel
SI1926DL-T1-GE3 Fotos
SI1926DL-T1-GE3 Pris
SI1926DL-T1-GE3 Tilbud
SI1926DL-T1-GE3 Laveste pris
SI1926DL-T1-GE3 Søg
SI1926DL-T1-GE3 Indkøb
SI1926DL-T1-GE3 Chip