SI2308DS-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Varenummer
SI2308DS-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverandørenhedspakke
SOT-23-3 (TO-236)
Effekttab (maks.)
1.25W (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
240pF @ 25V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 30264 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI2308DS-T1-E3
SI2308DS-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI2308DS-T1-E3 Salg
SI2308DS-T1-E3 Leverandør
SI2308DS-T1-E3 Distributør
SI2308DS-T1-E3 Datatabel
SI2308DS-T1-E3 Fotos
SI2308DS-T1-E3 Pris
SI2308DS-T1-E3 Tilbud
SI2308DS-T1-E3 Laveste pris
SI2308DS-T1-E3 Søg
SI2308DS-T1-E3 Indkøb
SI2308DS-T1-E3 Chip