SI2312BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Varenummer
SI2312BDS-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverandørenhedspakke
SOT-23-3 (TO-236)
Effekttab (maks.)
750mW (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 40843 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI2312BDS-T1-GE3
SI2312BDS-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI2312BDS-T1-GE3 Salg
SI2312BDS-T1-GE3 Leverandør
SI2312BDS-T1-GE3 Distributør
SI2312BDS-T1-GE3 Datatabel
SI2312BDS-T1-GE3 Fotos
SI2312BDS-T1-GE3 Pris
SI2312BDS-T1-GE3 Tilbud
SI2312BDS-T1-GE3 Laveste pris
SI2312BDS-T1-GE3 Søg
SI2312BDS-T1-GE3 Indkøb
SI2312BDS-T1-GE3 Chip