SI2316DS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Varenummer
SI2316DS-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverandørenhedspakke
SOT-23-3 (TO-236)
Effekttab (maks.)
700mW (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
215pF @ 15V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 38929 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI2316DS-T1-E3
SI2316DS-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI2316DS-T1-E3 Salg
SI2316DS-T1-E3 Leverandør
SI2316DS-T1-E3 Distributør
SI2316DS-T1-E3 Datatabel
SI2316DS-T1-E3 Fotos
SI2316DS-T1-E3 Pris
SI2316DS-T1-E3 Tilbud
SI2316DS-T1-E3 Laveste pris
SI2316DS-T1-E3 Søg
SI2316DS-T1-E3 Indkøb
SI2316DS-T1-E3 Chip