SI3410DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Varenummer
SI3410DV-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leverandørenhedspakke
6-TSOP
Effekttab (maks.)
2W (Ta), 4.1W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1295pF @ 15V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 13990 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI3410DV-T1-GE3
SI3410DV-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI3410DV-T1-GE3 Salg
SI3410DV-T1-GE3 Leverandør
SI3410DV-T1-GE3 Distributør
SI3410DV-T1-GE3 Datatabel
SI3410DV-T1-GE3 Fotos
SI3410DV-T1-GE3 Pris
SI3410DV-T1-GE3 Tilbud
SI3410DV-T1-GE3 Laveste pris
SI3410DV-T1-GE3 Søg
SI3410DV-T1-GE3 Indkøb
SI3410DV-T1-GE3 Chip