SI3430DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
Varenummer
SI3430DV-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leverandørenhedspakke
6-TSOP
Effekttab (maks.)
1.14W (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.6nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 16739 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI3430DV-T1-GE3
SI3430DV-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI3430DV-T1-GE3 Salg
SI3430DV-T1-GE3 Leverandør
SI3430DV-T1-GE3 Distributør
SI3430DV-T1-GE3 Datatabel
SI3430DV-T1-GE3 Fotos
SI3430DV-T1-GE3 Pris
SI3430DV-T1-GE3 Tilbud
SI3430DV-T1-GE3 Laveste pris
SI3430DV-T1-GE3 Søg
SI3430DV-T1-GE3 Indkøb
SI3430DV-T1-GE3 Chip