SI3460BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Varenummer
SI3460BDV-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leverandørenhedspakke
6-TSOP
Effekttab (maks.)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 8V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 10V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 19374 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI3460BDV-T1-E3
SI3460BDV-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI3460BDV-T1-E3 Salg
SI3460BDV-T1-E3 Leverandør
SI3460BDV-T1-E3 Distributør
SI3460BDV-T1-E3 Datatabel
SI3460BDV-T1-E3 Fotos
SI3460BDV-T1-E3 Pris
SI3460BDV-T1-E3 Tilbud
SI3460BDV-T1-E3 Laveste pris
SI3460BDV-T1-E3 Søg
SI3460BDV-T1-E3 Indkøb
SI3460BDV-T1-E3 Chip