SI4511DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
Varenummer
SI4511DY-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Maks
1.1W
Leverandørenhedspakke
8-SO
FET type
N and P-Channel
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 30256 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI4511DY-T1-GE3
SI4511DY-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI4511DY-T1-GE3 Salg
SI4511DY-T1-GE3 Leverandør
SI4511DY-T1-GE3 Distributør
SI4511DY-T1-GE3 Datatabel
SI4511DY-T1-GE3 Fotos
SI4511DY-T1-GE3 Pris
SI4511DY-T1-GE3 Tilbud
SI4511DY-T1-GE3 Laveste pris
SI4511DY-T1-GE3 Søg
SI4511DY-T1-GE3 Indkøb
SI4511DY-T1-GE3 Chip