SI4686DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
Varenummer
SI4686DY-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverandørenhedspakke
8-SO
Effekttab (maks.)
3W (Ta), 5.2W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1220pF @ 15V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 23660 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI4686DY-T1-E3
SI4686DY-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI4686DY-T1-E3 Salg
SI4686DY-T1-E3 Leverandør
SI4686DY-T1-E3 Distributør
SI4686DY-T1-E3 Datatabel
SI4686DY-T1-E3 Fotos
SI4686DY-T1-E3 Pris
SI4686DY-T1-E3 Tilbud
SI4686DY-T1-E3 Laveste pris
SI4686DY-T1-E3 Søg
SI4686DY-T1-E3 Indkøb
SI4686DY-T1-E3 Chip