SI4943BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
Varenummer
SI4943BDY-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Maks
1.1W
Leverandørenhedspakke
8-SO
FET type
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 16086 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI4943BDY-T1-E3
SI4943BDY-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI4943BDY-T1-E3 Salg
SI4943BDY-T1-E3 Leverandør
SI4943BDY-T1-E3 Distributør
SI4943BDY-T1-E3 Datatabel
SI4943BDY-T1-E3 Fotos
SI4943BDY-T1-E3 Pris
SI4943BDY-T1-E3 Tilbud
SI4943BDY-T1-E3 Laveste pris
SI4943BDY-T1-E3 Søg
SI4943BDY-T1-E3 Indkøb
SI4943BDY-T1-E3 Chip