SI5511DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Varenummer
SI5511DC-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SMD, Flat Lead
Effekt - Maks
3.1W, 2.6W
Leverandørenhedspakke
1206-8 ChipFET™
FET type
N and P-Channel
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
4A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.1nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 15V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 32772 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI5511DC-T1-GE3
SI5511DC-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI5511DC-T1-GE3 Salg
SI5511DC-T1-GE3 Leverandør
SI5511DC-T1-GE3 Distributør
SI5511DC-T1-GE3 Datatabel
SI5511DC-T1-GE3 Fotos
SI5511DC-T1-GE3 Pris
SI5511DC-T1-GE3 Tilbud
SI5511DC-T1-GE3 Laveste pris
SI5511DC-T1-GE3 Søg
SI5511DC-T1-GE3 Indkøb
SI5511DC-T1-GE3 Chip