SI5513CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Varenummer
SI5513CDC-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-SMD, Flat Lead
Effekt - Maks
3.1W
Leverandørenhedspakke
-
FET type
N and P-Channel
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.2nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
285pF @ 10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 30670 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI5513CDC-T1-E3
SI5513CDC-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI5513CDC-T1-E3 Salg
SI5513CDC-T1-E3 Leverandør
SI5513CDC-T1-E3 Distributør
SI5513CDC-T1-E3 Datatabel
SI5513CDC-T1-E3 Fotos
SI5513CDC-T1-E3 Pris
SI5513CDC-T1-E3 Tilbud
SI5513CDC-T1-E3 Laveste pris
SI5513CDC-T1-E3 Søg
SI5513CDC-T1-E3 Indkøb
SI5513CDC-T1-E3 Chip