SI6467BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
Varenummer
SI6467BDQ-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Leverandørenhedspakke
8-TSSOP
Effekttab (maks.)
1.05W (Ta)
FET type
P-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
12V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.5 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 450µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 17842 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI6467BDQ-T1-GE3
SI6467BDQ-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI6467BDQ-T1-GE3 Salg
SI6467BDQ-T1-GE3 Leverandør
SI6467BDQ-T1-GE3 Distributør
SI6467BDQ-T1-GE3 Datatabel
SI6467BDQ-T1-GE3 Fotos
SI6467BDQ-T1-GE3 Pris
SI6467BDQ-T1-GE3 Tilbud
SI6467BDQ-T1-GE3 Laveste pris
SI6467BDQ-T1-GE3 Søg
SI6467BDQ-T1-GE3 Indkøb
SI6467BDQ-T1-GE3 Chip