SI7317DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8
Varenummer
SI7317DN-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8
Effekttab (maks.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
FET type
P-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
150V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.8nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
365pF @ 75V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (maks.)
±30V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 24059 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI7317DN-T1-GE3
SI7317DN-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI7317DN-T1-GE3 Salg
SI7317DN-T1-GE3 Leverandør
SI7317DN-T1-GE3 Distributør
SI7317DN-T1-GE3 Datatabel
SI7317DN-T1-GE3 Fotos
SI7317DN-T1-GE3 Pris
SI7317DN-T1-GE3 Tilbud
SI7317DN-T1-GE3 Laveste pris
SI7317DN-T1-GE3 Søg
SI7317DN-T1-GE3 Indkøb
SI7317DN-T1-GE3 Chip