Køb Vishay Siliconix SI7462DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.

Se mere info DataSheets

SI7462DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

Varenummer

SI7462DP-T1-GE3

Producent/Mærke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Del status

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke/etui

PowerPAK® SO-8

Leverandørenhedspakke

PowerPAK® SO-8

Effekttab (maks.)

1.9W (Ta)

FET type

N-Channel

FET-funktion

Dræn til kildespænding (Vdss)

200V

Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C

2.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (maks.)

±20V

Anmod om tilbud

Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.

På lager 50605 PCS

Kontakt information

Relaterede produkter