SI7858BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Varenummer
SI7858BDP-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8
Effekttab (maks.)
5W (Ta), 48W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
12V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5760pF @ 6V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 52548 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI7858BDP-T1-GE3
SI7858BDP-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI7858BDP-T1-GE3 Salg
SI7858BDP-T1-GE3 Leverandør
SI7858BDP-T1-GE3 Distributør
SI7858BDP-T1-GE3 Datatabel
SI7858BDP-T1-GE3 Fotos
SI7858BDP-T1-GE3 Pris
SI7858BDP-T1-GE3 Tilbud
SI7858BDP-T1-GE3 Laveste pris
SI7858BDP-T1-GE3 Søg
SI7858BDP-T1-GE3 Indkøb
SI7858BDP-T1-GE3 Chip