SI7860DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Varenummer
SI7860DP-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8
Effekttab (maks.)
1.8W (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 38139 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI7860DP-T1-E3
SI7860DP-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI7860DP-T1-E3 Salg
SI7860DP-T1-E3 Leverandør
SI7860DP-T1-E3 Distributør
SI7860DP-T1-E3 Datatabel
SI7860DP-T1-E3 Fotos
SI7860DP-T1-E3 Pris
SI7860DP-T1-E3 Tilbud
SI7860DP-T1-E3 Laveste pris
SI7860DP-T1-E3 Søg
SI7860DP-T1-E3 Indkøb
SI7860DP-T1-E3 Chip