SI7888DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Varenummer
SI7888DP-T1-E3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8
Effekttab (maks.)
1.8W (Ta)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±12V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 9555 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI7888DP-T1-E3
SI7888DP-T1-E3 Elektroniske komponenter
SI7888DP-T1-E3 Salg
SI7888DP-T1-E3 Leverandør
SI7888DP-T1-E3 Distributør
SI7888DP-T1-E3 Datatabel
SI7888DP-T1-E3 Fotos
SI7888DP-T1-E3 Pris
SI7888DP-T1-E3 Tilbud
SI7888DP-T1-E3 Laveste pris
SI7888DP-T1-E3 Søg
SI7888DP-T1-E3 Indkøb
SI7888DP-T1-E3 Chip