SI7909DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Varenummer
SI7909DN-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8 Dual
Effekt - Maks
1.3W
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET type
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Dræn til kildespænding (Vdss)
12V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 45608 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSI7909DN-T1-GE3
SI7909DN-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SI7909DN-T1-GE3 Salg
SI7909DN-T1-GE3 Leverandør
SI7909DN-T1-GE3 Distributør
SI7909DN-T1-GE3 Datatabel
SI7909DN-T1-GE3 Fotos
SI7909DN-T1-GE3 Pris
SI7909DN-T1-GE3 Tilbud
SI7909DN-T1-GE3 Laveste pris
SI7909DN-T1-GE3 Søg
SI7909DN-T1-GE3 Indkøb
SI7909DN-T1-GE3 Chip